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シリコンウエハ基板

シリコンウエハ基板

シリコンウェハー基板は、さまざまな電子デバイスの基盤として機能する高品質の素材です。 純粋なシリコンから作られたこの基板は、マイクロチップ、太陽電池、その他の半導体の製造に不可欠なコンポーネントです。
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製品説明

 

シリコンウェハー基板は、さまざまな電子デバイスの基盤として機能する高品質の素材です。 純粋なシリコンから作られたこの基板は、マイクロチップ、太陽電池、その他の半導体の製造に不可欠なコンポーネントです。

 

優れた導電性と低不純物レベルにより、シリコン ウェーハ基板は電子回路の安定した基盤となります。 半導体産業では、集積回路、コンピュータチップ、その他の電子部品の製造に広く使用されています。

 

シリコンウェーハ基板は、エレクトロニクスにおける役割に加えて、太陽電池の製造にも使用される重要な材料です。 シリコンの純度が高いため、太陽光を電気エネルギーに効率的に変換でき、再生可能エネルギー用途に理想的な素材です。

 

Sibranch では、高品質のシリコンウェーハ基板をお客様にお届けすることに誇りを持っています。 当社の製品は最高級の素材で作られており、最適なパフォーマンスを保証するために厳格にテストされています。 当社は、さまざまな用途のニーズを満たすためにさまざまなサイズと仕様を提供しており、当社の専門家チームがいつでも技術サポートとガイダンスを提供できます。

 

電子または再生可能エネルギー用途向けの信頼性が高く効率的な基板をお探しの場合は、Sibranch のシリコン ウェーハ基板以外に探す必要はありません。 品質と革新性への取り組みにより、当社の製品はお客様の期待を超えるものになると確信しています。

 

※Sibranchは半導体基板の総合サービスプロバイダーです。

※少量、特殊仕様品、カスタマイズ対応も承ります。

* 当社の製品には、1-12 インチのシリコン ウェーハ (ダミー、テスト、製品グレード)、SiC、GaN、LN および LT、GaAs、InP 基板などが含まれます。

※カスタマイズサービスとして、シリコンウェーハの酸化膜、窒化膜、金属膜、EPI、カスタム極厚、超平坦、片面・両面研磨、薄板化、ダイシングサービス等も承ります。

 

成長

CZ、MCZ、FZ

学年

プライム、テスト、ダミーなど

直径

1-12 インチ

厚さ

50~3000um

仕上げる

カットのまま、ラッピング、DSP(300nm、200nm、120nm、90nm、65nm、37nm)など

オリエンテーション

(100) (111) (110) (531) (553) など

オフカット

4度まで

種類/ドーパント

P/B、N/Phos、N/As、N/Sb、真性

抵抗率

CZ/MCZ: 0.001 ~ 200 Ω-cm

FZ: 最大 5000 オーム-センチメートル

薄膜

* PVD: Al、Cu、Au、Cr、Si、Ni、Fe、Mo など、コーティング厚さ最大 20、000 Å / ± 5 %

* LPCVD/PECVD: 酸化物、窒化物、SiC など、コーティング厚さ最大 200、000 Å / ± 3 %

* シリコンエピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルサービス (SOS、GaN、GOI など)。

プロセス

DSP、超薄型、超フラットなど。

小型化、バックグラインド、ダイシング等

MEMSの

 

製品写真
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私たちを選ぶ理由

 

当社の製品は、世界トップ5メーカーおよび国内の主要工場からのみ調達されています。 高度な技術を持つ国内外の技術チームと厳格な品質管理措置によってサポートされています。

私たちの目標は、顧客に包括的な 1 対 1 のサポートを提供し、専門的でタイムリーかつ効率的なスムーズなコミュニケーション チャネルを確保することです。 最低注文数量は少なく、24 時間以内の迅速な配達を保証します。

 

ファクトリーショー

 

当社の膨大な在庫は 1000+ 製品で構成されており、お客様は 1 個からでも注文できるようにしています。 自社所有のダイシング・バックグラインド設備とグローバル産業チェーンとの全面協力により、迅速な出荷を可能にし、お客様のワンストップ満足と利便性を確保します。

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私たちの証明書

 

当社は、特許認証、ISO9001認証、国家ハイテク企業認証など、これまでに取得したさまざまな認証を誇りに思っています。 これらの認証は、イノベーション、品質管理、卓越性への取り組みに対する当社の取り組みを表しています。

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