製品説明
研磨シリコンウェーハパラメータ1 |
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直径 |
1インチ-12インチ |
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厚さ |
280um、300um、380um、400um、500um、525um、675um、厚さをカスタマイズ |
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タイプ |
P型とN型 |
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ドーピング |
非ドープ、ドープホウ素、ドープリンまたはヒ素 |
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オリエンテーション |
<100>, <111>, <110> |
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抵抗率 |
1-10ohm.cm, 0.001-0.005ohm.cm, >1000ohm.cm and >20000オーム.cm |
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研磨 |
DSPの |
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方法 |
CZとFZ |
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酸化層 |
100、200、300nm+/-10% |
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研磨シリコンウェーハパラメータ2 |
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直径 |
50.8mm |
76.2mm |
100ミリメートル |
125ミリメートル |
150mm |
200ミリメートル |
直径公差 |
±0.4mm |
±0.5mm |
±0.5mm |
±0.3mm |
±0.3mm |
±0.2mm |
厚さ |
280umの |
381um |
525umの |
625umの |
675umの |
725umの |
厚い許容範囲 |
±20um |
±20um |
±20um |
±15μm |
±15μm |
±15μm |
テレビ |
8um以下 |
10um以下 |
10um以下 |
10um以下 |
10um以下 |
10um以下 |
曲げ |
25um以下 |
30um以下 |
40um以下 |
40um以下 |
50um以下 |
50um以下 |
ティル |
5um以下 |
6um以下 |
6um以下 |
5um以下 |
5um以下 |
カスタマイズ |
プライマリフラットの長さ |
16.0±2.0mm |
22.5±2.5ミリメートル |
32.5±2.5ミリメートル |
42.5±2.5ミリメートル |
57.5±2.5ミリメートル |
カスタマイズ |
二次フラットの長さ |
8.0±2.0mm |
11.5±1.5ミリメートル |
18.0±2.0mm |
27.5±2.5mm |
37.5±2.5ミリメートル |
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注: 特別なパラメータ要件がある場合はカスタマイズできます |
両面研磨シリコン ウェーハは、半導体業界に革命を起こしている最先端の製品です。これらのウェーハは徹底した研磨プロセスを経て、両面とも滑らかで光沢のある傷のない表面を実現しています。
両面研磨シリコン ウェーハを使用する利点は無限です。まず、優れた電気性能を備えているため、マイクロプロセッサやメモリ デバイスなどの高性能電子機器に最適です。次に、高品質の表面により、半導体層のパターンをより正確かつ精密に作成できます。これにより、生産プロセスの歩留まりと効率が向上します。
さらに、両面研磨プロセスにより、ウェハーの機械的強度と耐久性が向上し、製造プロセスの過酷な条件にも損傷なく耐えられるようになります。その結果、ウェハー破損によるダウンタイムと損失が減ります。
まとめると、半導体製造を次のレベルに引き上げたいなら、両面研磨シリコン ウェーハを使用するのが最善の策です。メリットは数多くあり、これらのウェーハの品質と信頼性は他に類を見ません。この最先端技術を活用して、今すぐ生産能力を高めてみませんか。
製品写真
私たちを選ぶ理由
当社の製品は、世界トップ5メーカーおよび国内の主要工場からのみ調達されています。 高度な技術を持つ国内外の技術チームと厳格な品質管理措置によってサポートされています。
私たちの目標は、顧客に包括的な 1 対 1 のサポートを提供し、専門的でタイムリーかつ効率的なスムーズなコミュニケーション チャネルを確保することです。 最低注文数量は少なく、24 時間以内の迅速な配達を保証します。
ファクトリーショー
当社の膨大な在庫は 1000+ 製品で構成されており、お客様は 1 個からでも注文できるようにしています。 自社所有のダイシング・バックグラインド設備とグローバル産業チェーンとの全面協力により、迅速な出荷を可能にし、お客様のワンストップ満足と利便性を確保します。



私たちの証明書
当社は、特許認証、ISO9001認証、国家ハイテク企業認証など、これまでに取得したさまざまな認証を誇りに思っています。 これらの認証は、イノベーション、品質管理、卓越性への取り組みに対する当社の取り組みを表しています。
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