説明

技術的なパラメーター

製品説明

熱酸化シリコンウエハ

熱酸化シリコンウェーハは、熱酸化と呼ばれるプロセスによって二酸化ケイ素 (SiO2) の層が形成されたシリコンウェーハです。このプロセスでは、ウェーハを高温の熱と、水素、酸素、ハロゲンガスなどの酸化剤にさらします。この層は湿式または乾式で、厚さは数オングストロームから 20 ミクロンまであります。

熱酸化ウェハーには、次のような多くの用途があります。

誘電体
MEMS（微小電気機械システム）デバイス
厚膜シリコンオンインシュレータウェーハ上のバリア
化学機械平坦化（CMP）
シリコン基板の表面特性の研究
MOSおよびその他のアクティブデバイスの製造プロセス
集積回路（IC）およびマイクロチップの製造
ドーピングプロセス中のマスキング

直径2"-12"、酸化膜厚さ30-1000nm、超厚仕様1-20um、均一性を実現<3%, provide detailed film thickness uniformity report, Oxidation method according to the thickness of the choice of wet oxygen or pure kilooxygen (LPCVD) and TEOS (PECVD), whether the leakage or uniformity, cleanliness and other process indicators are in the forefront of the international level, to meet the special needs of high-end customers.

製品写真

カスタム熱酸化シリコンウエハ

SiBranch は、幅広いアプリケーションのニーズを満たすために、片面および両面の熱酸化シリコンウェーハを提供しています。

当社の標準製品は、シリコン基板の制御された熱酸化によって形成された、両面に均一な二酸化シリコン層を備えた両面酸化ウェハです。ただし、お客様の特定の要件に合わせてカスタマイズされた片面酸化ウェハも提供しています。これらのウェハは、最初は両面酸化ウェハであり、次に緩衝フッ化水素酸エッチング液を使用して二酸化シリコン層の層が選択的に除去されます。

この柔軟な酸化物ウェーハ製造方法により、片面および両面の酸化物ウェーハを少量で供給できます。プロセス開発、材料分析、大量生産のいずれの目的でウェーハが必要な場合でも、当社はお客様の用途にぴったり合う酸化物ウェーハ構成を提供できます。

当社の品質

二酸化ケイ素ウェハーは、現代の半導体に不可欠な高品質の誘電体材料として重要な役割を果たしています。SiO2 の比類のない絶縁特性により、半導体金属に比べて複雑なデバイス形状と優れた性能を実現できます。また、酸化物層により、ナノスケールの製造時に選択的なエッチングとマスキング操作が容易になります。

半導体に加えて、酸化物ウェハーは、防湿層、構造部品、またはパッシベーション層としてマイクロエレクトロメカニカルシステム (MEMS) に組み込むことができます。当社の酸化物ウェハーの品質により、MEMS エンジニアは二酸化ケイ素の機械的弾力性を利用して、複雑な機械構造や流体システムを作成できます。

信頼性の高い二酸化ケイ素ウェーハを必要とするあらゆる用途において、SiBranch の専門エンジニアリングと厳格な品質保証を信頼してください。当社の片面および両面酸化物ウェーハがお客様の次のイノベーションをどのようにサポートできるかについてご相談いただくには、今すぐ当社のカスタマーサービスチームにお問い合わせください。