製品説明
SiC エピ ウェーハは、市場における高品質で先進的な半導体製品です。これは、さまざまな電子および光学アプリケーションで優れたパフォーマンスを発揮するシリコン カーバイド エピタキシャル ウェーハの一種です。SiC エピ ウェーハは、高度な結晶成長技術を利用して製造されており、優れた特性を持つ高品質の材料となっています。
SiC エピ ウェーハの大きな利点の 1 つは、高い破壊電圧です。そのため、高出力および高温のアプリケーションに最適です。また、熱および機械的ストレスに対する耐性も高く、過酷な環境でも安定性と耐久性を確保します。優れた熱伝導性により、効率的な熱放散が可能になり、電子部品の熱による損傷のリスクが軽減されます。
SiC エピ ウェーハは、パワー エレクトロニクス、照明、センサーなど、さまざまな電子デバイスや光電子デバイスで広く使用されています。高温と高電力を必要とする厳しい用途でも、優れたパフォーマンスと信頼性を提供します。さらに、従来のシリコン ベースの材料に代わる環境に優しく持続可能な代替品であるため、環境意識の高い消費者にとって理想的な選択肢となります。
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4H N型SiC 100MM、350μm ウェーハ仕様 |
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記事番号 |
W4H100N-4-PO(またはCO)-350 |
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説明 |
4H SiC基板 |
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ポリタイプ |
4H |
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直径 |
(100+0.0-0.5) mm |
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厚さ |
(350±25) μm (エンジニアリンググレード±50μm) |
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キャリアタイプ |
n型 |
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ドーパント |
窒素 |
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抵抗率(RT) |
0.012-0.025Ω▪cm(エンジニアリンググレード<0.025Ω▪cm) |
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ウェーハの向き |
(4+0.5) 度 |
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エンジニアリンググレード |
生産グレード |
生産グレード |
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2.1 |
2.2 |
2.3 |
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マイクロパイプ密度 |
30cm²以下 |
10cm²以下 |
1cm²以下 |
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マイクロパイプフリーエリア |
指定されていない |
96%以上 |
96%以上 |
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オリエンテーションフラット(OF) |
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オリエンテーション |
平行 {1-100} ±5 度 |
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オリエンテーションフラット長さ |
(32.5±2.0) mm |
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識別フラット (IF) |
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オリエンテーション |
Si面: 90度時計回り、オリエンテーションフラットから±5度 |
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識別フラット長さ |
(18.0+2.0)ミリメートル
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表面 |
オプション1: Si面標準研磨 エピ対応C面光学研磨 |
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オプション2: Si面CMPエピ対応、C面光学研磨 |
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パッケージ |
マルチウエハー(25)輸送箱 |
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(ご要望に応じてシングルウェーハパッケージも対応可能) |
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6H N型SiC、2インチウェーハ仕様 |
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記事番号 |
W6H51N-0-PM-250-S |
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説明 |
生産グレード6H SiC基板 |
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ポリタイプ |
6H |
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直径 |
(50.8±38) ミリメートル |
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厚さ |
(250±25) um |
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キャリアタイプ |
n型 |
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ドーパント |
窒素 |
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抵抗率(RT) |
0.06-0.10Ω▪cm |
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ウェーハの向き |
(0+0.5) 度 |
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マイクロパイプ密度 |
100cm-²以下 |
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オリエンテーションフラットオリエンテーション |
平行 {1-100} ±5 度 |
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オリエンテーションフラット長さ |
(15.88±1.65) ミリメートル |
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識別平面方向 |
Si面: 90度時計回り。逆向きフラット±5度 |
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識別フラット長さ |
(8+1.65) ミリメートル |
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表面 |
Si-face 標準ポリッシュ エピレディ |
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C面マット |
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パッケージ |
パッケージ シングルウェーハパッケージまたは複数ウェーハ輸送箱 |
製品写真
私たちを選ぶ理由
当社の製品は、世界トップ5メーカーおよび国内の主要工場からのみ調達されています。 高度な技術を持つ国内外の技術チームと厳格な品質管理措置によってサポートされています。
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