説明

技術的なパラメーター

SOI はシリコンオンインシュレータの略で、SOI ウェーハはデバイス層、BOX 層、ハンドル層の 3 つの基本層で構成されています。埋め込み酸化物層とも呼ばれる BOX 層は、デバイス層とハンドル層の間に挟まれています。

トランジスタは、SOI ウェーハの速度と効率の中心となる最上位のデバイス層内に形成されます。これらのトランジスタは、電力を節約する上で優れているだけでなく、宇宙線や放射能干渉などの外部要因から保護されているため、データ損失が減少します。

SOI シリコンウェーハは、回路のより安定した信頼性の高い基盤を提供するため、マイクロプロセッサなどの高性能 IC に最適です。また、効率的に機能するために低消費電力と高速データ転送を必要とする無線通信デバイスにも最適です。

全体的に、SOI シリコンウェーハは従来のシリコンウェーハに比べて大きな利点があり、現代の電子機器の製造において重要なコンポーネントとなっています。

直径2"-12、上部シリコンの厚さ55nm-500um、埋め込み酸素層の厚さ175nm-16umを提供できます。

Sibranch は次のタイプの SOI ウェーハを提供しています。

厚いSOIウェーハ

このタイプのウェーハのデバイスの厚さは 1µm ～ 300µm です。

超薄型SOIウェーハ

このタイプのウェーハはデバイスの厚さを持っています<500nm.

超均一SOIウェーハ

デバイスの厚さの均一性は、厚い SOI では ±0.5µm、極薄 SOI では ±10nm まで低下します。

超平坦SOIウェーハ

このタイプの SOI は、特定のアプリケーションに対して BOW/WARP/TTV が非常に低くなっています。

酸化層の厚さ	標準 – 0.5μm、1μm、2μm
酸化層の厚さ	オプション – .1 – 10μm
ハンドルウェーハの厚さ	3インチ、100mm – 300μm以上
	125 mm、150 mm – 400μm以上
	200mm～500μm以上
	許容範囲: 標準 +/- 25μm
	特殊 +/- 5μm
ドーパント	N型 – リン、ヒ素、アンチモン
ドーパント	Pタイプ – ホウ素
抵抗率	高抵抗フロートゾーンや低抵抗CZなど、ほとんどの抵抗率はリクエストに応じて利用可能
オリエンテーション	<1-0-0>標準、<1-1-1>そして<1-1-0>リクエストに応じてオプション
	標準許容範囲 +/- 0.5 度
	最小+/- 0.1度の特殊許容範囲
フラット方向	すべての主要なフラット/ノッチは<110>平面 +/-.5 度
	リクエストに応じてより厳密な仕様も利用可能
	セミスタンダードマイナーフラットは76.2と100mmに標準装備
仕上げる	両面研磨標準
仕上げる	オプションの裏面仕上げ - ナノグラインドまたは酸化物
コーティング	ウェーハの両面に酸化物と窒化物を供給できます。
オプションのイオン注入埋め込み層	埋め込み層は、接合界面の活性層に埋め込むことができます。ご希望のドーパント、ドーパント濃度、およびご希望のエネルギーが利用可能かどうかを確認してください。このサービスは外部の請負業者によって提供されます。