製品説明
ガリウムヒ素基板の主な利点の 1 つは、その高い電子移動度です。シリコンなどの他の半導体材料と比較して電子移動度が大きいため、高速で低ノイズのデバイスに最適です。さらに、直接バンドギャップを備えているため、可視領域と赤外線領域で発光する効率的な発光ダイオードを製造できます。
この基板のもう 1 つの利点は、熱伝導率が高いことです。これにより、熱を素早く放散できます。この機能は、熱放散が重要なパワー エレクトロニクス アプリケーションで特に役立ちます。ガリウム ヒ素基板は破壊電圧も高いため、高電圧条件下でも信頼性が確保されます。
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150mm径GaAsウエハの標準寸法と許容差 |
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財産 |
寸法 |
許容範囲 |
ユニット |
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直径 |
150 |
+/-0.5 |
んん |
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厚さ、中心点 |
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オプションA |
675 |
+/-25 |
μm |
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オプションB |
550 |
+/-25 |
μm |
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ノッチの向き |
[010] |
+/-2 |
度 |
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ノッチ深さ |
1 |
+0.25/-0.0 |
んん |
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直径100mmのGaAsウェハの標準寸法と許容差 |
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財産 |
寸法 |
許容範囲 |
ユニット |
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直径 |
100 |
+/-0.5 |
んん |
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厚さ、中心点 |
675 |
+/-25 |
μm |
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プライマリフラット長さ |
18 |
+/-2 |
んん |
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セカンダリフラット長さ |
18 |
+/-2 |
んん |
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US/SEMIおよびE/Jフラットオプションが利用可能 |
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直径200mmのGaAsウェハの標準寸法と許容差 |
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財産 |
寸法 |
許容範囲 |
ユニット |
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直径 |
200 |
+/-0.5 |
んん |
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厚さ、中心点 |
625 |
+/-25 |
μm |
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ノッチの向き |
[010] |
+/-2 |
度 |
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ノッチ深さ |
1 |
+0.25/-0.0 |
んん |
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3インチ径 GaAs ウェハの標準寸法と許容差 |
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財産 |
寸法 |
許容範囲 |
ユニット |
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直径 |
76.2 |
+/-0.5 |
んん |
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厚さ、中心点 |
625 |
+/-25 |
μm |
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プライマリフラット長さ |
22 |
+/-2 |
んん |
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セカンダリフラット長さ |
11 |
+/-2 |
んん |
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US/SEMIおよびE/Jフラットオプションが利用可能 |
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