説明

技術的なパラメーター

SiC ダミーウェーハは、半導体業界で広く使用されている高品質の製品です。これは、半導体デバイスのテストとデバッグ用に特別に設計されたシリコンカーバイドウェーハです。SiC ダミーウェーハは、製品の品質と完全性を保証するのに役立つため、半導体メーカーにとって重要なツールです。

SiC ダミーウェーハの主な利点の 1 つは、その高い純度と均一性です。これにより、半導体デバイスのテストとデバッグにおいて正確で信頼性の高い結果が得られます。また、ウェーハは耐久性と耐損傷性に優れているため、過酷な動作環境での使用に最適です。

SiC ダミーウェーハのもう 1 つの利点は、その汎用性です。パワーデバイス、RF デバイス、オプトエレクトロニクスなど、幅広い半導体アプリケーションで使用できます。このため、さまざまなデバイスをテストする必要がある半導体メーカーにとって、SiC ダミーウェーハは貴重なツールとなります。

4H N型SiC 100MM、350μm ウェーハ仕様
記事番号	W4H100N-4-PO（またはCO）-350
説明	4H SiC基板
ポリタイプ	4H
直径	(100+0.0-0.5) mm
厚さ	(350±25) μm (エンジニアリンググレード±50μm)
キャリアタイプ	n型
ドーパント	窒素
抵抗率（RT）	0.012-0.025Ω▪cm（エンジニアリンググレード<0.025Ω▪cm)
ウェーハの向き	(4+0.5) 度
	エンジニアリンググレード	生産グレード	生産グレード
	2.1	2.2	2.3
マイクロパイプ密度	30cm²以下	10cm²以下	1cm²以下
マイクロパイプフリーエリア	指定されていない	96%以上	96%以上
オリエンテーションフラット（OF）
オリエンテーション	平行 {1-100} ±5 度
オリエンテーションフラット長さ	(32.5±2.0) mm
識別フラット（IF）
オリエンテーション	Si面: 90度時計回り、オリエンテーションフラットから±5度
識別フラット長さ	（18.0+2.0）ミリメートル
表面	オプション1: Si面標準研磨エピ対応C面光学研磨
	オプション2: Si面CMPエピ対応、C面光学研磨
パッケージ	マルチウエハー（25）輸送箱
	（ご要望に応じてシングルウェーハパッケージも対応可能）

6H N型SiC、2インチウェーハ仕様
記事番号	W6H51N-0-PM-250-S
説明	生産グレード6H SiC基板
ポリタイプ	6H
直径	(50.8±38) ミリメートル
厚さ	(250±25) UM
キャリアタイプ	n型
ドーパント	窒素
抵抗率(RT)	0.06-0.10Ω▪cm
ウェーハの向き	(0+0.5) 度
マイクロパイプ密度	100cm-²以下
オリエンテーションフラットオリエンテーション	平行 {1-100} ±5 度
オリエンテーションフラット長さ	(15.88±1.65) ミリメートル
識別平面方向	Si面: 90度時計回り。逆向きフラット±5度
識別フラット長さ	(8+1.65) ミリメートル
表面	Si-face 標準ポリッシュエピレディ
表面	C面マット
パッケージ	パッケージシングルウェーハパッケージまたは複数ウェーハ輸送箱