単結晶シリコンウェーハの厚さはどれくらいですか?

産業チェーン連携の進展に伴い、間伐プロセスは加速している。 シリコンウェーハの厚さはセルの自動化、歩留まり、変換効率に影響を与えるため、下流のセルおよびモジュールメーカーのニーズに合わせる必要があります。 したがって、間伐は、産業チェーン内のすべてのリンクの協力と進歩により大きく依存します。
2020年、多結晶シリコンウェーハの平均厚さは180μm、P型単結晶シリコンウェーハの平均厚さは約175μm、N型シリコンウェーハの平均厚さは168μm、N型シリコンウェーハの平均厚さは約168μmである。 TOPConセルのシリコンウェーハの平均厚さは175μm、ヘテロ接合セルのシリコンウェーハの平均厚さは約150μmです。
1. P 型単結晶シリコンウェーハ: 薄スライスは 350 μm、250 μm、220 μm、200 μm、180 μm などの複数のノードを経験しており、2021 年には 170 μm に達すると予想されています。{{ 9}} μm は成熟し、2025 年には 160 μm に達すると予想されています。
2. N型単結晶シリコンウェーハ：P型シリコンウェーハに比べて、N型シリコンウェーハは薄膜化が容易です。 2021 年には 160-165 μm に達すると予想されています。現在、120-140 μm のウェーハ技術が利用可能であり、長期的には 100-120 μm に達すると予想されています。
3. ヘテロ接合セル用の N 型単結晶シリコンウェーハ: HJT は薄化に最も有利なセル構造およびプロセスであり、薄化において当然の利点があります。 理由は次のとおりです。
(1) 対称構造、低温またはストレスフリープロセスにより、より薄いシリコンウェーハに適応できます。
(2) 変換効率は厚さの影響を受けません。 厚さが１００μｍ程度まで薄くなっても、極低表面再結合によっては、短絡電流Ｉｓｃの損失を開放電圧Ｖｏｃで補うことができる。
関連する予測によれば、ヘテロ接合N型シリコンウェーハの厚さは2024年、2027年、2030年にそれぞれ140、130、120μmに達し、薄化の理論的限界は100μm未満に達する可能性がある。