準備 プロセス of シリコン ウェーハ

準備 プロセス の シリコン ウェーハ 主に 含む 以下 ステップ:
融解 シリコン: First, extremely 高純度 シリコン is 製錬 at high temperature to form silicon liquid。
Single crystal growth: Then, the molten silicon liquid is grown into single crystal silicon by semiconductor technology such as Czochralski method or zone melting method.
シリコン インゴット 切断: The 成長 単結晶 シリコン is cut into シリコン ウェーハ with a 厚さ of about 0.5-1mm.
Polishing: Finally, silicon wafers undergo a precision polishing process to obtain a smooth surface that meets the needs of electronic grade applications.